二次試作の基板が組み上がったので、一次試作のものと比較してみよう。
左が一次試作、右が二次試作。一目瞭然。右の方がカッコええ。といっても、ハウジングしてしまっては中身は見えないので、あまり意味はないのであるが。。。。基板好きにはたまらないもの。。。。かな？？スケルトンケースに入れた商品がそこそこ売れると言うことは、基板フリークがいるに違いないと思っている。
が、見てくれが良くても、きちんと動かないものは私的には無価値なため、動作を確認してみよう。
基本的なところは一次と二次であまり変わらないので、インダクタを変更したことによるパルス電流がどの程度変化したかを確認することが主なポイント。さっそく、動作確認を始めると。。。。。動かん。。。。いや、動いているのだが、アラームが点灯してパルスが発生していない。アラームの点灯パタンを確認すると、電流制限オーバーとのこと。インダクタを変更したことで、電流がより多く流れるようになったと言うことか。だが、下手にパルス幅を調整すると、MosFETの定格オーバーで壊れてしまう可能性がある。慎重に波形を確認していく。
左が二次試作で右が一次試作のパルス波形。上下のグラフが反対になっていて分かりづらいが、矩形波に近い方がゲートパルスの波形で、パルスの間に電圧が上昇しているのがインダクタの下に配置されたシャント抵抗の電圧降下、つまり電流値。
一次試作(右の黄色グラフ)では、スケールが10mVなので、7mVから16mV程度まで上昇している。電流値に換算すると1A～2.3Aとなる。
一方、二次試作(左の青グラフ)では、スケールが20mVなので30mVから45mVまで上昇している。電流値換算で4.3A～6.4Aとなる。なんか、大幅に電流が増えている。
これでは、一次試作のパルス幅制御論理では、電流が流れすぎて、制限オーバーが発生してしまうのは当たり前だ。パルス幅制御論理を変更しなければならない。インダクタは2Aのものを利用しているが、パルスでしかも持続時間は8μs程度、波形から磁気飽和が発生している訳ではなさそうなので、何とか保つだろう。MosFETも、パルスであれば10A程度までは耐えてくれそうだ。ただ、放熱はきちんとしないとならない。
これらを考慮し、プログラムを修正したところ、正常に動作するようになった。ホッ・・・・
基板を起こして、正常に動かなかったら、致命的な欠陥を回路に組込んで基板を製造してしまったかと少々びびってしまう。なので、正しく動いたときには、かなり安堵する。ま、自分に自信がないってことの裏返しでもあるのだが。。。まだまだ修行不足である。